PC(W)IC(A)Vcbo(V)Vceo(V)Vebo(V)hFEhFE VCE(V)hFE IC(A)Cob(pF)TYPPackage65 10 80 80 5 1K-20K 3 5 <200 TO-220
2N6388 |
RFQ for 2N6388 |
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| Technical/Catalog Information | 2N6388 |
| Vendor | STMicroelectronics |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Power - Max | 65W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
| Frequency - Transition | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 (Straight Leads) |
| Packaging | Tube |
| Drawing Number | * |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | 2N6388 2N6388 497 2562 5 ND 49725625ND 497-2562-5 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C | ||||||||||
| 2N6388 | ON Semiconductor | TO-220-3 | 00+ |
The device is a silicon epitaxial-base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package.
It is inteded for use in low and medium frequency power applications.
Features |
| · STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE· NPN DARLINGTON· HIGH CURRENT CAPABILITY· INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE |
| Symbol | Parameter |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
VCBO |
Collector-Base Voltage (IB = 0) |
80 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCEV | Collector-Emitter Voltage (VBE = -1.5V) |
80 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCER | Collector-Emitter Voltage (RBE100) |
80 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCEO | Collector-Emitter Voltage (IB = 0) |
80 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEBO | Emitter-Base Voltage (IC = 0) |
5 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IC | Collector Current |
10 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICM | Collector Peak Current |
15 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IB | Base Current |
0.25 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ptot | Total Dissipation at Tc 25 |
65 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tstg | Storage Temperature |
-65 to 150 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tj | Max. Operating Junction Temperature |
150 |
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